迁移率提升4倍！JDI研发出新型OS-TFT，可用于8代线

3月30日，JDI宣布，在茂原工厂（千叶县茂原市）的第 6 代 (G6) 量产线中，JDI对传统氧化物半导体薄膜晶体管的创新特性进行改进，在世界上首次成功开发出背板技术（OS-TFT）。此外，JDI决定今天将这项新技术商业化。

新技术包含高迁移率氧化物半导体（HMO，High Mobility Oxide）技术，其场效应迁移率是传统OS-TFT技术的两倍以上；以及超高迁移率氧化物半导体（UHMO，Ultra High Mobility Oxide）技术，其迁移率是传统OS-TFT技术的四倍以上。UHMO技术在大规模生产线上实现了52 cm2/Vs的场效应迁移率，这是氧化物半导体TFT的一个极高的速度特性。这项新技术使导通电流达到与低温多晶硅（LTPS）技术相同的水平，同时保持了传统OS-TFT技术的低关断泄漏电流特性。

此外，一直以来有源矩阵OLED（AMOLED）的高流动性backplane必须用到LTPS技术，而玻璃基板的很大尺寸被限制在G6，但这种新技术将使建设G8以上的大型生产线成为可能。

这项新技术有望极大地加速OLED产品等显示产品的技术创新，并为以下显示性能的改进做出广泛贡献：

・显示器的低功耗（低频率驱动时）

・VR/AR等虚拟现实

・改善图像真实性和刷新率（高清晰度和高刷新率）

・透明显示的透明度

・提高显示质量和更大的屏幕

【这项新技术的特征数据】

在传统的OS-TFT技术中，若要实现高场效应迁移率，则偏置温度应力（BTS3）就会恶化，从而导致可靠性故障，造成无法同时实现这两个特性（高场效应迁移率和稳定的BTS），这是一个重大挑战。

这次,JDI通过充分利用JDI积累的OS-TFT工艺技术，克服了传统的技术问题，实现了具有优良特性的新型OS-TFT。有了这项新技术，就有可能在实现高场效应迁移率的同时拥有稳定的特性，既能实现OS-TFT的低脱漏，又能实现与LTPS技术相同水平的稳定驱动能力。

此外，氧化物半导体使用出光兴产株式会社开发的晶体氧化物材料。

【未来展望 】

(1) 该新技术的量产开始时间

JDI已经与客户进行了业务谈判，并计划在 2024 年开始量产。

(2) 销售目标

JDI预计这项新技术将有多种用途，但结合正在开发的下一代 OLED，我们将在 G6 线上量产可穿戴设备显示产品，目标是在 2025 年实现250亿日元，在 2026 年实现约500 亿日元的综合销售额。

(3) 商业化支出金额

这项新技术是在我们多年来培育的背板技术进一步发展的过程中开发的，用于商业化的新支出金额不到10亿日元。

(4) 对经营业绩的影响

尽管这项新技术对截至 2022 年 3 月的财年业务预测的影响很小，但JDI相信它将为JDI实现全球技术领先、可持续增长和中长期企业价值提升做出巨大贡献。